节点文献
C轴择优取向AlN薄膜的制备研究
Preparing of C-axis Oriented AlN Thin Films
【摘要】 采用直流磁控反应溅射法制备AlN薄膜.研究了靶基距、衬底温度和电极材料对AlN薄膜择优取向的影响.用XRD、AFM表征了AlN薄膜的结构、表面形貌.结果表明衬底温度为300℃、靶基距为3cm,在Pt电极上可沉积高质量的C轴择优取向AlN薄膜.
【Abstract】 AlN films have been prepared by direct current-reactive magnetron sputtering method.The relationship between substrate temperature, sputtering distance, bottom metal electrodes and AlN films structures was investigated. It has been found that AlN films deposited on the Pt electrode with substrate temperature 300℃,sputtering distance 3cm exhibits (002) preferential orientation.
【关键词】 AlN薄膜；
直流磁控反应溅射；
C轴择优取向；
【Key words】 AlN films； direct current-reactive magnetron sputtering； c-axis oriented；
【Key words】 AlN films； direct current-reactive magnetron sputtering； c-axis oriented；
- 【文献出处】 四川大学学报(自然科学版) ,Journal of Sichuan University (Natural Science Edition) , 编辑部邮箱 ,2005年S1期
- 【分类号】TB383;
- 【被引频次】3
- 【下载频次】203