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水热法ZnO晶体特征研究

Characteristics of Hydrothermally Grown ZnO Crystal

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【作者】 宋词杭寅张昌龙徐军顾书林夏长泰周卫宁仲维卓

【Author】 SONG Ci1,HANG Yin1,ZHANG Chang-long2,XU Jun1,GU Shu-lin3,XIA Chang-tai1,ZHOU Wei-ning2,ZHONG Wei-zhuo4(1.Shanghai Institute of Optics and Fine Mechanics,Chinese Acadamy of Sciences,Shanghai 201800,China;2.Guilin Research Institute of Geology for Mineral Resouces,Guilin 541004,China;3.Department of Physics,Nanjing University,Nanjing 210093,China;4.Shanghai Institute of Ceramics,Chinese Acadamy of Sciences,Shanghai 200050,China)

【机构】 中国科学院上海光学精密机械研究所桂林矿产地质研究院南京大学物理系中国科学院上海硅酸盐研究所 上海201800上海201800桂林541004南京210093上海200050

【摘要】 ZnO具有优良的综合性能使其成为极有前途的下一代光电材料,水热法是一种重要的生长ZnO晶体的方法。本文对水热法生长的面积约150mm2的ZnO晶体进行了报道,研究了晶体不同方向的生长速度、形貌特征和光学性能。X射线摇摆曲线表明晶体的质量较好。对于光学性质的分析表明晶体生长时加入H2O2能显著提高晶体的质量。494nm附近的发光带可能与氧空位有关。520nm的发光可能与Na或者S i所形成的杂质能级跃迁有关。

【Abstract】 ZnO crystal has many good physical and chemical properties,which make it possible to be a promising material for the next generation optoelectronic application.Hydrothermal method is an important method in growing this crystal.The size of 150mm2 ZnO crystal grown by hydrothermal method is reported in this article.The X-ray rocking curve measurement indicates the good quality of as grown crystal.Putting H2O2 into the solution can improve the quality of the crystal.The 494nm emission may come from the O vacancy,and the 520nm emission may be related to the Na or Si impurities.

【关键词】 ZnO晶体光致发光晶体生长半导体
【Key words】 ZnO crystalphotoluminescencecrystal growthsemiconductor
【基金】 国家863基金项目(No.2002AA311060)
  • 【文献出处】 人工晶体学报 ,Journal of Synthetic Crystals , 编辑部邮箱 ,2005年06期
  • 【分类号】O614.241
  • 【被引频次】28
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