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硅基一维纳米半导体材料的制备及光电性能

Fabrication and Optoelectronic Property of One Dimensional Semiconductor Nano-materials on Silicon Substrate

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【作者】 杨德仁牛俊杰张辉王俊杨青余京马向阳沙健阙端麟

【Author】 Yang De-Ren, Niu Jun-Jie, Zhang Hui, Wang Jun, Yang Qing, Yu Jing, Sha Jian, Mai Xang-Yang, Que Duan-Lin (State Key Lab of Silicon Materials, Zhejiang University, Han Zhou,310031,China)

【机构】 浙江大学硅材料国家重点实验室浙江大学硅材料国家重点实验室 杭州310031杭州310031

【摘要】 硅基一维纳米半导体材料是新型的硅基光电子材料 ,在硅基光电集成和纳电子领域有重要的应用前景 .主要论述了硅基一维纳米半导体材料 (纳米硅线、纳米ZnO线 )的制备 ,着重一维纳米材料的阵列化制备 ,讨论了其生长机理 ,研究了硅基一维纳米半导体材料的的光学、电学等物理性能 .

【Abstract】 One-dimensional semiconductor nano-materials on silicon substrate, as novel silicon-based optoelectronic materials, have the great potential application in the integrated photo-electricity and nano-electronics in future. In this paper, we reviewed the synthesis, especially the aligned growth, of the one-dimensional semiconductor nano-materials on silicon, including silicon nano-wires, ZnO nano-wires, and B nano-wires. As the results, the growth mechanisms of the nano-wires were discussed respectively. Furthermore, the corresponding optic and electrical properties were measured and analyzed respectively.

【基金】 国家自然科学基金 ( 60 2 2 50 10 ) ;教育部重点科技项目
  • 【文献出处】 南京大学学报(自然科学版) ,Journal of Nanjing University (Natural Sciences) , 编辑部邮箱 ,2005年01期
  • 【分类号】TN304.1;TN34;T
  • 【被引频次】13
  • 【下载频次】1118
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