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一种曲率补偿CMOS带隙基准源(英文)

A Curvature-Compensated CMOS Bandgap Reference

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【作者】 王帅旗李福乐王志华张天义

【Author】 WANG Shuai-qi1,LI Fu-le2,WANG Zhi-hua2,ZHANG Tian-yi1(1.Dept.of Microelectronics,Peking University,Beijing100871;2.Institute of Microelectronics,Tsinghua University,Beijing,100084,P.R.China)

【机构】 北京大学微电子系清华大学微电子研究所北京大学微电子系 北京100871北京100084北京100871

【摘要】 介绍了一种可提供1.438 V基准电压的曲率补偿带隙基准源。采用一种极其简单有效的方法,直接实现曲率补偿。该电路采用双金属双多晶硅0.6μm CMOS工艺制造,用于驱动一个10位20 MS/s A/D转换器。仿真结果显示,该带隙基准源在室温5 V电源电压下,仅耗用64μA电流;0~80°C范围内,温度系数为13.7 ppm/K,电源电压抑制比为64.7 dB。

【Abstract】 Acurvature-compensated bandgap reference is presented,whichis capable of genera-ting a si mulated reference voltage of 1.438 V.Si mulation result shows that it consumes 64μAstatic current with a supply voltage of 5 Vat roomtemperature.An ulti mate si mple but effectivetechnique is usedin this bandgap architecture to straightforwardlyi mplement the curvature com-pensation.The device achieves 13.7 ppm/Kof si mulated temperature coefficient in the tempera-ture range from0°Cto 80°C and 64.7 dB of si mulated power supply rejection ratio.Developedfor a 10-bit 20-MS/s temperature-stable ADC,the bandgap is i mplemented in a double-metaldouble-polysilicon 0.6-μm CMOS technology.

【基金】 Project supported by the National Natural Science Foundation of China(60475018)
  • 【分类号】TN432
  • 【被引频次】3
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