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SiGe HBT超自对准结构模拟研究  
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【英文篇名】 An Investigation into Simulation of SiGe HBT’s with Super Self-Aligned Selectively Grown Base
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【作者】 黄大鹏; 戴显英; 张鹤鸣; 王伟; 吴建伟; 胡辉勇; 张静; 刘道广;
【英文作者】 HUANG Da-peng1; DAI Xian-ying 1; 3; ZHANG He-ming 1; WANG Wei1; WU Jian-wei1; HU Hui-yong 1; ZHANG Jing2; LIU Dao-guang2 (1.School of Microelectronics; Xidian Univ.; Xi’an; Shaanxi 710071; P.R.China; 2. National Laboratory of Analog Integrated Circuits; Chongqing 400060; 3. Education Ministry Key Lab of Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices; P. R. China);
【作者单位】 西安电子科技大学微电子学院; 模拟集成电路国家重点实验室; 模拟集成电路国家重点实验室 陕西西安; 陕西西安; 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室;
【文献出处】 微电子学 , Microelectronics, 编辑部邮箱 2005年 04期  
期刊荣誉:中文核心期刊要目总览  ASPT来源刊  中国期刊方阵  CJFD收录刊
【中文关键词】 硅锗异质结双极晶体管; 自对准; 侧墙; 悬梁;
【英文关键词】 SiGe HBT; Self-alignment; Sidewall; Overhanging;
【摘要】 侧墙厚度及悬梁长度是SiGeHBT超自对准器件工艺中的重要结构参数,对器件的寄生效应和结面积有一定的影响,因而也影响器件的电流放大系数β和特征频率ft。在目前的文献中,尚未见到有关SiGeHBT超自对准结构模拟的报道。文章在研究各种超自对准技术的基础上,给出了SiGeHBT超自对准器件的优化结构。利用二维器件模拟软件MEDICI,对该结构中的侧墙及悬梁进行了模拟研究。结果表明,侧墙厚度对器件的频率特性影响较大,而对直流放大倍数β影响较小;悬梁长度在仿真的参数范围内对器件的直流放大特性和特征频率都影响不大。
【英文摘要】 Sidewall thickness and overhanging length are crucial parameters in super self-aligned technology for SiGe HBT’s. The two parameters have certain influence on the parasitic effect and junction area of the device, thus affecting the current amplifying factor β and characteristic frequency f_t. An optimized structure of super self-aligned SiGe HBT is described based on our research of different super self-aligned technologies. Simulations are made on sidewall and overhanging in the super self-aligned structur...
【基金】 模拟集成电路国家重点实验室基金资助项目(51439010101DZ01)
【更新日期】 2005-09-30
【分类号】 TN38
【正文快照】 1引言超自对准(superself alignedselectivelygrown base,SSSB)技术是一种先进的自对准技术。该技术结合现有的多种自对准技术,如选择性外延发射区窗口(SEEW)、选择性外延基区(SEBT)、双多晶自对准(Double Poly),以及硼硅玻璃自对准(BSG Self Aliqned)等技术的优点,能最大限度?

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