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深亚微米MOSFET阈值电压模型

Threshold Voltage Model for Deep-Submicrometer MOSFET’s

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【作者】 李艳萍； 徐静平； 陈卫兵； 邹晓；

【Author】 LI Yan-ping, XU Jing-ping, CHEN Wei-bing, ZOU Xiao (Dept. of Electronic Science & Technology, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan, Hubei 430074. P. R. China)

【机构】 华中科技大学电子科学与技术系； 华中科技大学电子科学与技术系 湖北武汉430074； 湖北武汉430074； 湖北武汉430074；

【摘要】 文章在分析短沟道效应和漏致势垒降低(DIBL)效应的基础上,通过引入耦合两效应的 相关因子,建立了高k栅介质MOSFET阈值电压的器件物理模型。模拟分析了各种因素对阈值电 压漂移的影响,获得了最佳的k值范围。

【Abstract】 Based on analysis on short-channel effect and drain induced barrier lowering (DIBL) effect, a threshold voltage model for high-k MOSFET’s is etablished by introducing a coefficient that interrelates the two effects. Influences of various factors on threshold voltage shift are simulated and investigated, and the optimal range of k values is obtained.

【关键词】 MOSFET； 短沟道效应； 漏致势垒降低效应； 高k栅介质；
【Key words】 MOSFET； Short-channel effect； DIBL； High-k gate dielectric；
【基金】 国家自然科学基金(60376019)湖北省自然科学基金资助项目(2003ABA087)
  • 【分类号】TN386
  • 【被引频次】8
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