PECVD法低温制备微晶硅薄膜的晶化控制-中国学术期刊网络出版总库

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PECVD法低温制备微晶硅薄膜的晶化控制

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【英文篇名】	Crystalline Control of Microcrystalline Silicon Thin Film Deposited by Low Temperature PECVD
【下载频次】	★★★★★
【作者】	李瑞; 卢景霄; 陈永生; 杨仕娥; 郜小勇; 靳锐敏; 王海燕; 张宇翔; 张丽伟;
【英文作者】	LI Rui; LU Jingxiao; CHEN Yongsheng; YANG Shi'e; GAO Xiaoyong; JIN Ruimin; WANG Haiyan; ZHANG Yuxiang; ZHANG Liwei The Key Laboratory of Materials Physics of Educational Ministry; Zhengzhou University; Zhengzhou 450052;
【作者单位】	郑州大学材料物理教育部重点实验室; 郑州大学材料物理教育部重点实验室郑州;
【文献出处】	科学技术与工程 , Science Technology and Engineer, 编辑部邮箱 2005年 13期期刊荣誉：中文核心期刊要目总览 ASPT来源刊 CJFD收录刊
【中文关键词】	微晶硅薄膜; 等离子增强化学气相沉积(PECVD); 晶化率;
【英文关键词】	microcrystalline silicon thin films plasma-enhanced chemical vapor deposition crystalline percent;
【摘要】	采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法在玻璃衬底上低温制备了微晶硅(μc-Si:H)薄膜。利用拉曼(Raman)散射谱、原子力显微镜(AFM)研究了H2稀释、衬底温度、射频功率等对薄膜晶化的影响。研究结果表明,当H2稀释比从95%升高到99%、衬底温度从200℃逐渐升高到400℃、硅膜的晶化率逐渐提高,结构逐渐由非晶向微晶转变,射频功率对薄膜晶化的影响有一最优值。
【英文摘要】	Using the PECVD (Plasma-enhanced chemical vapor deposition) method the microcrystalline silicon thin films were deposited on common glass substrates. Raman scattering spectra and AFM(atomic force microscopy) were used to analyze the crystalline condition of the films and the experimental results. The results show that when the temperature changed from 200℃ to 400℃ or the dilution changed from 95%-99% films would change from amorphous to poly-crystalline. When the power was too low or too great the crystalli...
【基金】	河南省科技攻关项目(0324240045)资助
【更新日期】	2005-08-30
【分类号】	TN304
【正文快照】	几十到几百纳米的晶硅颗粒镶嵌在非晶硅薄膜中,这种材料一般被称作微晶硅薄膜;因为它兼具非晶薄膜材料和晶硅材料的优点,被认为是制做太阳能电池的优良材料“〕;它在电导率很高的情况下保证了光敏性,并且降低了电池的光致衰退比3〕。本文着重研究在廉价普通玻璃上低温沉积

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