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ULSI用193nm光刻胶的研究进展
Progress of 193 nm Photoresist for ULSI Supporting Materials
【摘要】 从193nm光刻胶的各个组分,如:主体树脂、光致产酸剂、溶解抑制剂、碱性添加剂以及存在的问题和解决途径等多个方面综述了193nm深紫外光刻胶的发展与现状。
【Abstract】 This paper describes the evolution and status of the 193 nm photoresists in aspects of matrix resins,photo-acid generator,dissolution inhibitor,base additives,existing problems and ways of solutions.
【关键词】 193nm；
光刻胶；
主体树脂；
光致产酸剂；
酸敏基团；
溶解抑制剂；
碱性添加剂；
【Key words】 nm； photoresist； matrix resin； photo-acid generator； acid-labile group； dissolution inhibitor； base additives；
【Key words】 nm； photoresist； matrix resin； photo-acid generator； acid-labile group； dissolution inhibitor； base additives；
【基金】 国家 863计划项目(2002AA3Z1330)~~
- 【文献出处】 精细化工 ,Fine Chemicals , 编辑部邮箱 ,2005年05期
- 【分类号】TQ437
- 【被引频次】23
- 【下载频次】658