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IGCT门极驱动电路的原理分析

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【机构】安徽理工大学机械工程系；安徽职业技术学院电气工程系安徽淮南232001；上海铁路局阜阳车辆段；安徽阜阳236000；安徽合肥230051；

【摘要】在目前的中电压大功率应用领域,占主导地位的功率半导体器件有晶闸管、GTO和IGBT等,这些传统的功率器件在实用方面都存在一些缺陷。ABB半导体公司率先提出了一种新型功率半导体器件—IGCT。它的关键思想是将改进结构的GTO与反并联二极管和门极驱动电路集成在一起,再与其门极驱动器在外围以低电感方式连接。在性能上明显优于目前广泛使用的GTO和IGBT器件。着重对IGCT门极驱动电路的结构和原理进行了介绍和分析。更多还原

【关键词】 IGCT；门极驱动电路；硬驱动；

【文献出处】能源技术与管理 ,Jiangsu Coal , 编辑部邮箱 ,2005年05期

【分类号】TN34;
【被引频次】4
【下载频次】375

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