GaAs分子束外延中硅阶梯掺杂优化及C-V测量-中国学术期刊网络出版总库

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GaAs分子束外延中硅阶梯掺杂优化及C-V测量

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【英文篇名】	Improved Si Stage Doping in MBE Grown CaAs and Electrochemical C-V Measurement
【下载频次】	★★★☆
【作者】	孙永伟; 张秀兰; 杨国华; 叶晓军; 陈良惠;
【英文作者】	SUN Yong-wei; ZHANG Xiu-lan; YANG Guo-hua; YE Xiao-jun; CHEN Liang-hui(Nano-optoelectonics Laboratory; Institute of Semiconductors; Beijing 100083; China);
【作者单位】	中国科学院半导体研究所纳米光电子实验室; 中国科学院半导体研究所纳米光电子实验室北京;
【文献出处】	激光与红外 , Laser & Infrared, 编辑部邮箱 2005年 08期期刊荣誉：中文核心期刊要目总览 ASPT来源刊 CJFD收录刊
【中文关键词】	分子束外延MBE; 硅掺杂; 砷化镓; 电化学C-V;
【英文关键词】	MBE; Si doping; GaAs; electrochemistry; C-V;
【摘要】	以硅作为砷化镓分子束外延(MBE)生长中的n型掺杂剂,为了确定硅的掺杂浓度,在一片GaAs半绝缘衬底上生长多个GaAs处延层,每一层中进行不同浓度的Si掺杂,然后用电化学C-V的方法确定各层中的载流子浓度,一次性得到了不同Si掺杂浓度与Si炉的温度之间的关系曲线。本文还介绍了如何采用控制生长的条件得到陡峭的界面,使不同掺杂浓度的层与层之间的界面变化非常明显。
【英文摘要】	Si is often used as an n type dopant in MBE grown GaAs epi-layers. In order to determine the doping (level,) we have grown several GaAs layers on a semi insulated GaAs substrate. In each layer, the carrier concentration is different. We use electrochemistry to determine the carrier concentration in each layer, then we can get the relation between the Si doping level and the temperature of Si cell.How to get abrupt interface with improved growth conditions is also introduced.
【更新日期】	2005-10-23
【分类号】	TN304
【正文快照】	1引言用分子束外延方法得到的GaAs已经在光电子,微电子等领域有非常广泛的应用[1,2]。用硅作为制备GaAs薄膜材料的掺杂剂,Si在GaAs中占Ga位,是施主杂质,由于Si的自补偿度低,所以掺Si的GaAs可以获得很高的迁移率。用MBE设备,开始要对Si的生长条件进行定标,以得到掺杂浓度与Si的?

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