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碲溶剂法生长高均匀性Hg1-xCdxTe体晶材料的工艺研究
The Bulk Crystal Growth Technology of High Compositional Uniformity Hg1-xCdxTe Use Te as Solvent
【摘要】 通过改进碲溶剂长晶炉的径向炉温分布,改善了晶体生长的液-固界面,用碲溶剂长晶方法生长出了高均匀性碲镉汞体晶材料,用英国爱丁堡Mullard公司的碲镉汞晶片评价装置在光斑为1 mm2的测试条件下测出晶片材料组分均匀性Ax为+0.003 mol.CdTe,达到了制作红外焦平面探测器列阵对材料的要求。
【Abstract】 The modifications of radial temperature profile for the Te-Solvent crystal growing furnace, improved growing liquid-solid interface, then obtained the high compositional uniformity single crystal of Hg1 - xCdxTe. The radial compositional uniformity achieved±0.003 mol.CdTe, and can meet the requirements of Infrared Focus Panel Array Detectors. This result is tested by Slice Evaluation Spectrometer.
- 【文献出处】 红外技术 ,Infrared Technology , 编辑部邮箱 ,2005年05期
- 【分类号】TN304;
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