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AFM诱导氧化加工Si纳米氧化线的一致性和连续性的研究
Studies on Uniformity and Conformity of Silicon Oxidation Lines Obtained by AFM Induced Oxidation
【摘要】 研究了在不同的偏置电压和扫描速度下加工的Si氧化线的一致性和均匀性,得到了加工高质量的Si氧化线的实验条件为:偏置电压8V,扫描速度1 μm/s。
【Abstract】 The uniformity and conformity of the oxidation lines of Si obtained by AFM (atom force microscope) tip induced oxidation ofdifferent biased voltages and scanning speeds are studied. According to the results, the best experiment conditions of getting high-quality Si oxidation lines: bias voltage of 8V and scanning speed of 1 μm/s.
【关键词】 AFM针尖诱导阳极氧化；
Si氧化线；
一致性；
连续性；
偏置电压；
扫描速度；
【Key words】 AFM tip induced anodic oxidation； Si oxidation lines； uniformity； conformity； biased voltage； scanning speed；
【Key words】 AFM tip induced anodic oxidation； Si oxidation lines； uniformity； conformity； biased voltage； scanning speed；
【基金】 教育部天津大学南开大学科技合作项目
- 【文献出处】 航空精密制造技术 ,Aviation Precision Manufacturing Technology , 编辑部邮箱 ,2005年02期
- 【分类号】TB383
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