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GaAs太阳电池1MeV电子辐射效应数值模拟

Simulation of radiation effects on GaAs solar cell by 1MeV electrons

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【作者】 王祖军唐本奇黄绍艳张勇肖志刚黄芳

【Author】 WANG Zu-jun, TANG Ben-qi, HUANG Shao-yan, ZHANG Yong, XIAO Zhi-gang ,HUANG Fang(Northwest Institute of Nuclear Technology, P.O.Box 69-10,Xi’an of Shaanxi Prov. 710024,China)

【机构】 西北核技术研究所西北核技术研究所 西安69信箱10分箱 710024西安69信箱10分箱 710024西安69信箱10分箱 710024

【摘要】 简要介绍了太阳电池的基本工作原理和辐射损伤机理。利用二维半导体器件数值模拟软件MEDICI,模拟计算了1MeV高能电子在辐射通量范围为1×1013~1×1015cm2时,对GaAs太阳电池主要输出参数(如开路电压Voc,短路电流Isc)的影响,并对计算结果进行了分析,计算结果与相关文献给出的实验数据吻合较好。

【Abstract】 The basic radiation effects of solar cell are introduced briefly in this paper. Then we simulate the output characteristics of p-GaAs solar cell, e.g. the short circuit current I(sc), and the open circuit voltage V(oc), by 1MeV electron radiation with the two-dimensional device simulation software - MEDICI. The simulation results are perfectly agreement with the experimental data.

【关键词】 GaAs太阳电池辐射效应MEDICI模拟
【Key words】 GaAssolar cellradiation effectsMEDICI simulation
  • 【文献出处】 核电子学与探测技术 ,Nuclear Electronics & Detection Technology , 编辑部邮箱 ,2005年01期
  • 【分类号】TM914
  • 【被引频次】6
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