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新型光泵浦垂直外腔面发射半导体激光器

An Novel Laser-Optically Pumped Vertical External Cavity Surface Emission Laser

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【Author】 Song Yanrong1,Guo Xiaoping2,Wang Yonggang 1,3 ,Chen Meng2, Li Gang 2,Yu Meiming1, Hu Jianghai1,Zhang Zhigang 1,3 1 College of Applied Science,Beijing University of Technology,Beijing 100022 2 Laser Engineering College,Beijing University of Technology,Beijing 100022 3 Ultrafast Laser Laboratory,University of Tianjin,Tianjin 300072

【机构】北京工业大学应用数理学院光学国家重点学科；北京工业大学激光工程学院光学国家重点学科；北京工业大学应用数理学院光学国家重点学科北京100022；北京100022；北京100022；天津大学精密仪器与光电子工程学院；教育部光电信息重点实验室；天津300072；天津300072；

【摘要】用量子阱技术生长的半导体材料作激光增益介质,Al GaAs/GaAs对做布喇格反射镜,并以简单的平凹腔做谐振腔,半导体激光器作泵浦源,制作出了光泵垂直外腔面发射半导体激光器.在抽运功率1.5W时,得到了中心波长1005nm、最大输出功率40mW的激光,光-光转换效率2.7%.更多还原

【Abstract】 A novel laser-optically pumped vertical external cavity surface emitting laser was demonstrated.A diode laser was employed as a pump source.The gain structure of the semiconductor was quantum wells grown by MOCVD technology.By adjusting the cavity which was typically plane-concaved structure carefully,the laser was obtained at 1005 nm centre wavelength and the output power was 40 mW.The optical-optical efficiency was 2.7%.更多还原

【关键词】面发射半导体激光器；光泵浦；量子阱；增益芯片；
【Key words】 Vertical external cavity surface emitting laser； Optically pumped； Quantum well； Gain chip；

【基金】北京市优秀人才培养专项经费;北京工业大学博士启动经费资助

【文献出处】光子学报 ,Acta Photonica Sinica , 编辑部邮箱 ,2005年10期

【分类号】TN248.4;
【被引频次】8
【下载频次】292

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