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硅雪崩二极管光子辐射特性的实验研究

Measurement of the Photon Emission Characteristic of Silicon Avalanche Photodiode

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【作者】 邵军虎； 黄涛； 王晓波； 赵延霆； 肖连团； 贾锁堂；

【Author】 Shao Junhu,Huang Tao,Wang Xiaobo,Zhao Yanting,Xiao Liantuan,Jia Suotang State Key Laboratory of Quantum Optics and Quantum Optics Devices, College of Physics and Electronics Engineering, Shanxi Univ., Taiyuan 030006

【机构】 量子光学与光量子器件国家重点实验室； 山西大学物理电子工程学院； 山西大学物理电子工程学院 太原030006； 太原030006； 太原030006；

【摘要】 利用计数统计测量的方法,对工作在击穿状态下的硅雪崩光电二极管(APD)光子辐射的暂态特性以及计数统计特性进行了实验研究将APD辐射光子的计数统计曲线与相应Poisson、热光场进行比较,发现其在采样时间为10ms的情况下计数统计服从SuperPoisson分布另外实验给出了APD光子辐射的光谱特性

【Abstract】 The temporal and photo-statistic characteristics of silicon APD photon emission were got experimentally by measuring its photon statistics under breakdown condition. Compared with corresponding Poisson distribution and thermal field photon statistic distribution, the photo-statistic distribution of APD photon emission with 10 ms bin time was found to be Super-Poisson distribution. The fluorescence spectrum of the APD photon emission was also achieved in experiment.

【关键词】 雪崩光电二极管； 光子辐射； 光子统计； 光谱；
【Key words】 Avalanche Photodiode； Photon emission； Photo-statistics spectrum；
【基金】 国家基金(60378004);山西省留学基金资助;高等学校博士学科点转项科研基金(20040108002);国家人事部留学人员科技活动优秀项目
  • 【文献出处】 光子学报 ,Acta Photonica Sinica , 编辑部邮箱 ,2005年03期
  • 【分类号】TN312
  • 【被引频次】27
  • 【下载频次】455
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