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修正的Angelov模型及其ICCAP提取方法

An Enhanced Angelov Model and Its Parameter Extracting Method Using ICCAP

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【Author】 LI Hui1 HONG Wei2 ZHANG Bin1 SHI Jiangwei1 TIE Hong’an1( 1Nanjing Electronic Devices Institute, Nanjing, 210016, CHN)( 2Southeast University, Nanjing, 210096, CHN)

【机构】南京电子器件研究所；东南大学；南京电子器件研究所南京； 210016；南京； 210096；

【摘要】针对南京电子器件研究所的PHEMT器件的特点,对Angelov模型进行了修正,并用ICCAP编写了模型的抽取程序,以南京电子器件研究所的400μm栅宽、0.5μm栅长的PHEMT器件为例,给出了直流及S参数的拟合结果。更多还原

【Abstract】 This paper presents an Enhanced Angelov Model for PHEMT developed in NEDI. The parameter extracting method using ICCAP is presented too. Results including DC results and S-parameters etc. are shown for NEDI’s PHEMT (gate width 400 μm, gate length 0.5 μm).更多还原

【关键词】赝配高电子迁移率晶体管；模型； ICCAP；
【Key words】 PHEMT； model； ICCAP；

【文献出处】固体电子学研究与进展 ,Research & Progress of Solid State Electronics , 编辑部邮箱 ,2005年04期

【分类号】TN722
【被引频次】4
【下载频次】270

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