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AlGaN/GaN一维模型自洽求解和二维电子气特性研究

One-dimensional Self-consistent Numerical Model and Two-dimensional Electron Gases for AlGaN/GaN

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【作者】 祃龙； 王燕； 余志平； 田立林；

【Author】 MA Long WANG Yan YU Zhiping TIAN Lilin(Institute of Microelectronics of Tsinghua University, Beijing, 100084, CHN)

【机构】 清华大学微电子所； 清华大学微电子所 北京； 100084； 北京； 100084；

【摘要】 实现了一维Poisson-Schrodinger方程的自洽求解,在此基础上求出了AlGaN/GaN异质结导带结构和二维电子气分布。计算结果表明极化效应是形成高浓度电子面密度的主要因素。研究了AlGaN/GaN系统中隔离层厚度对二维电子气浓度的影响,并对计算结果进行了分析。

【Abstract】 One-dimensional Poisson-Schrodinger equations are solved self-consistently, from which the AlGaN/GaN heterostructure conduction band and the 2DEG density are investigated. The influence of spacer layer width on the 2DEG density is calculated for the first time, explanation and analyses are also given.

【关键词】 铝镓氮/氮化镓； 泊松方程； 薛定谔方程； 自洽解； 二维电子气；
【Key words】 AlGaN/GaN； Poisson equation； Schrodinger equation； self-consistent solution； 2DEG；
【基金】 国家重点基础研究专项基金(2002CB311907)资助
  • 【文献出处】 固体电子学研究与进展 ,Research & Progress of Solid State Electronics , 编辑部邮箱 ,2005年02期
  • 【分类号】TN304
  • 【被引频次】8
  • 【下载频次】431
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