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高压功率LDMOS的场极板击穿电压分析

A Breakdown Voltage Analysis of Field Plate in a High-voltage Power LDMOS

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【Author】 KE Daoming1 CHEN Junning1 SHI L ongxing2 SUN Weifeng2 WU Xiulong1 KE Yijing1 ( 1 Department of Electronics Engineering,Anhui University,Hefei,23003 9,CHN) ( 2 National ASIC System Engineering R esearch Center,Southeast University,Nanj ing 210096,CHN)

【机构】安徽大学电子工程系；东南大学ASIC工程技术中心；安徽大学电子工程系合肥； 230039；合肥；南京； 210096； 230039；

【摘要】提高 LDMOS的一个关键步骤是加场极板以降低其表面击穿电压。文中分析了加场极板后的 LDMOS击穿电压模式 ,指出了场极板的分压作用和场极板边界的影响 ,得到了其击穿电压的计算公式并用实验验证了公式的正确性更多还原

【Abstract】 In order to impro ve the breakdown voltage of a high-volta ge LDMOS,the field plate structure must be used.The paper has given a breakdown voltage model for a high-voltage LDMOS a fter adding a field plate.We have gotten relationships between the breakdown vol tage and field plates sizes.From this analys is,a suitable breakdown voltage expressi on is obtained.Finally,the theo retical prediction is well verified by e xperimental data.更多还原

【关键词】横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管；场极板；击穿电压；
【Key words】 LDMOS； field plate； bre akdown voltage；

【基金】国家 8 63计划项目 :高压驱动集成技术的研究 (2 0 0 2 AA1Z15 5 0 ) ;安徽省教育厅重点项目 (2 0 0 3 kj0 0 12 d)

【文献出处】固体电子学研究与进展 ,Research & Progress of Solid State Electronics , 编辑部邮箱 ,2005年01期

【分类号】TN386.1
【被引频次】6
【下载频次】282

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