节点文献

磁控溅射制备五氧化二钒薄膜的研究

Studies of vanadium pentoxide thin films prepared by R.F. magnetron sputtering methods

  • 推荐 CAJ下载
  • PDF下载
  • 不支持迅雷等下载工具,请取消加速工具后下载。

【作者】 李志栓吴孙桃李静郭东辉

【Author】 LI Zhi-shuan~(1,2),WU Sun-tao~2, LI Jing~2, GUO Dong-hui~(1,2) (1. Department of Physics, Xiamen University, Xiamen 361005, China; 2. Pen Tung Sah MEMS Research Center, Xiamen University, Xiamen 361005, China)

【机构】 厦门大学物理系,厦门大学萨本栋微机电研究中心,厦门大学萨本栋微机电研究中心,厦门大学物理系 福建厦门361005厦门大学萨本栋微机电研究中心,福建厦门361005,福建厦门361005,福建厦门361005,福建厦门361005厦门大学萨本栋微机电研究中心,福建厦门361005

【摘要】 采用射频磁控溅射的方法,在不同条件下制备了氧化钒薄膜样品,分别在不同温度条件下做了退火处理,并对退火前后样品做了X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)和激光扫描共聚焦显微镜测试与分析,旨在得出制备良好的V2O5 薄膜的条件。

【Abstract】 Vanadium oxide thin film samples were prepared by R.F. magnetron sputtering methods in different conditions.The samples were annealed at different temperatures. The thin film samples before and after annealing were all studied with XRD, XPS and laser scanning confocal microscope, in order to find the conditions preparing good V2O5 films.

【基金】 福建省自然科学基金资助项目(E0110004);国家自然科学基金重大研究计划资助项目(90206039);国家重点基础研究发展规划资助项目(001CB610505)
  • 【文献出处】 功能材料 ,Journal of Functional Materials , 编辑部邮箱 ,2005年02期
  • 【分类号】TB43
  • 【被引频次】9
  • 【下载频次】459
节点文献中: 

本文链接的文献网络图示:

本文的引文网络