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电子束光刻中邻近效应校正的几种方法

Methods of proximity effect correction in electron beam lithography

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【作者】 肖沛孙霞闫继红丁泽军

【Author】 XIAO Pei1,SUN Xia~(1*),YAN Ji-hong~2,DING Ze-jun~1(1 Structure Research Laboratory and Department of Physics,University of Science and Technology of China,Heifei Anhui 230026;2 Hefei College,Department of Mathematics and Physics,Hefei Anhui 230026,China)

【机构】 中国科技大学结构分析重点实验室物理系合肥学院数学与物理系中国科技大学结构分析重点实验室物理系 安徽合肥230026安徽合肥230026安徽合肥230026

【摘要】 本文简要介绍了限制电子束光刻分辨率的主要因素之一—邻近效应的产生机制,列举了校正邻近效应的GHOST法、图形区密集度分布法和掩模图形形状改变法,介绍了每种方法的原理、步骤和效果,比较了它们各自的优缺点。

【Abstract】 Proximity effect is one of the most important limitations to the resolution of electron beam lithography.The mechanism of proximity effect was introduced.Some correction methods of proximity effect such as GHOST,pattern area density map and shape modification were described in detail,including its principle,correction procedure and efficiency.The advantages and shortages of these methods were also given.

【关键词】 电子束光刻邻近效应
【Key words】 electron beam lithographyproximity effect
【基金】 国家自然科学基金资助项目(No.60306006,10025420,90206009);安徽省自然科学基金(No.050460201)~~
  • 【文献出处】 电子显微学报 ,Journal of Chinese Electron Microscopy Society , 编辑部邮箱 ,2005年05期
  • 【分类号】TN405
  • 【被引频次】11
  • 【下载频次】341
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