电子全息在自旋电子学及半导体多量子阱材料研究中的应用

【摘要】 随着现代信息科学技术的发展,自旋阀、磁隧道结等自旋电子学材料及半导体量子阱等光电材料日益受到人们的关注。由于电子显微学方法在衍射、成像及谱学方面具备综合优势,近来已被广泛用于自旋电子学和量子阱光电材料研究领域,以揭示其显微结构和优异物理性能之间的内在联系。其中,普通的电子显微学方法,如透射电子显微术,特别是高分辨电子显微学等是研究这类低维超薄膜晶体结构及其界面关系的有力工具。但是,通常磁隧道结氧化物势垒层呈非晶状态,其微观结构用普通的电子显微学方法难以进行深入地研究。考虑到非晶氧化物势垒层的结构和它们的平均内势直接相关,其结构变化必然导致材料平均内势的变化。此外,非晶氧化物势垒层与上下铁磁电极更多还原