节点文献

ICP刻蚀中等离子体分布的模拟

Simulation of Plasma Distributing in ICP Etching

  • 推荐 CAJ下载
  • PDF下载
  • 不支持迅雷等下载工具,请取消加速工具后下载。

【作者】 冯明张鉴黄庆安

【Author】 FENG Ming, ZHANG Jian, HUANG Qing-an (Key Laboratory of MEMS of Ministry of Education, Southeast University, Nanjing 210096,China)

【机构】 东南大学MEMS教育部重点实验室东南大学MEMS教育部重点实验室 江苏南京210096江苏南京210096江苏南京210096

【摘要】 采用直接蒙特卡罗方法对反应器中的气体分布进行粒子模拟,从而得到在不同条件下的一组结果,给出了粒子浓度和温度与腔体尺寸的关系图。并对结果作出分析比较,得出不同的条件对粒子浓度以及温度等产生影响,结果对ICP刻蚀的工艺控制有参考价值。

【Abstract】 A two-dimension direct simulation Mont Carlo (DSMC) Method of the rarefied reactive flow of neutral and ions in a low-pressure inductively coupled plasma reactor is presented. The relationship curves between the particle density and chamber dimension of plasma reactor are calculated and analyzed. Influence of different parameters on the particle density of plasma and temperature distribution in the ICP Etching technology is discussed according to the results of the simulation.

【基金】 国家杰出青年科学基金资助项目(50325519)
  • 【文献出处】 电子器件 ,Journal of Electron Devices , 编辑部邮箱 ,2005年03期
  • 【分类号】TN405
  • 【被引频次】5
  • 【下载频次】363
节点文献中: 

本文链接的文献网络图示:

本文的引文网络