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采用PECVD方法制作SiO2绝缘层的AlGaN/GaNMOS-HFET器件

PECVD SiO2 Layers on AlGaN/GaN Mental Oxide Semiconductor Heterostructure Field-Effect Transistor

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【作者】 陈晓娟； 刘新宇； 和致经； 刘键； 邵刚； 魏珂； 吴德馨； 王晓亮； 周钧铭； 陈宏；

【Author】 CHEN Xiao-juan1, LIU Xin-yu1, HE Zhi-jing1,LIU Jian1, SHAO Gang1, WEI Ke1, WU De-xin1, WANG Xiao-liang2, ZHOU Jun-ming3, CHEN Hong3 1. Institute of Microelectronics ,Chinese Academy of Sciences , Beijing 100029, China; 2. Institute of Semiconductors ,Chinese Academy of Sciences , Beijing 100083, China; 3. Institute of Physics , Chinese Academy of Sciences , Beijing 100080, China

【机构】 中国科学院微电子研究所； 中国科学院半导体所； 中国科学院物理研究所； 中国科学院物理研究所 北京100029； 北京100029； 北京100083； 北京100080； 北京100080；

【摘要】 为了进一步减小栅漏电,提高击穿电压,将MOS结构的优点引入ALGaN/GaNHEMT器件中,研制并分析了新型的基于AlGaN/GaN的MOS-HFET结构。采用等离子增强气相化学沉积(PECVD)的方法生长了50nm的SiO2作为栅绝缘层,新型的AlGaN/GaNMOS-HFET器件栅长1μm,栅宽80μm,测得最大饱和输出电流为784mA/mm,最大跨导为44.25ms/mm,最高栅偏压+6V。

【Abstract】 With SiO2 layers as the insulating gate, AlGaN/GaN mental oxide semiconductor heterostructure field-effect transistor are demonstrated. Based on the plasma enhanced chemical vapor deposition （PECVD） method, high quality SiO2 enables the decrease of gate leakage current and a large gate swing voltage. With the gate length of 1 μm and the width 80 μm, MOS-HFET achieved transconductance 44 ms/mm and the maximum drain current 784mA/mm.

【关键词】 AlGaN； GaN； SiO2； MOS-HFET；
【Key words】 AlGaN； GaN； SiO2； MOS-HFET；
  • 【文献出处】 电子器件 ,Journal of Electron Devices , 编辑部邮箱 ,2005年03期
  • 【分类号】TN305
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