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金属/SiO2/Si基Bi4Ti3O12铁电薄膜的J-V特性
Study on the J-V Characteristics of Bi4Ti3O12 Ferroelectric Thin Film with the Metal/SiO2/p-Si Structure
【摘要】 采用sol-gel方法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了Bi4Ti3O12铁电薄膜。测试了其在直流电场下流过铁电薄膜的漏导电流J-V特性。测量结果显示正向漏电流明显小于负向漏电流。并讨论了金属–铁电薄膜所形成的整流接触特性,以及金属/SiO2/Si基Bi4Ti3O12铁电薄膜系统在不同电压范围(0~±6V)的导电机制。
【Abstract】 The Bi4Ti3O12 ferroelectric thin film was prepared on Pt/Ti/SiO2/Si substrate by sol-gel method.The J-V characteristics were measured through metal-ferroelectric film-metal(MFM) structure under direct voltage.The resuls show that positive leakage current is smaller than negative leakage current.Then the rectifying junction characteristics of metal-ferroelectric film and different conductive mechanisms in different voltage ranges(0~±6 V) are discussed.
【关键词】 无机非金属材料；
Bi4Ti3O12铁电薄膜；
sol-gel方法；
J-V特性；
肖特基发射；
空间电荷限制电流；
【Key words】 inorganic non-metallic materials； Bi4Ti3O12 ferroelectric thin film； sol-gel method； J-V characteristicsschottky emission； space-charge limited currents；
【Key words】 inorganic non-metallic materials； Bi4Ti3O12 ferroelectric thin film； sol-gel method； J-V characteristicsschottky emission； space-charge limited currents；
【基金】 国家自然科学基金重大研究计划资助项目(90407023)
- 【文献出处】 电子元件与材料 ,Electronic Components $ Materials , 编辑部邮箱 ,2005年10期
- 【分类号】TM22;
- 【被引频次】12
- 【下载频次】140