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Bi2212体系的层间耦合对临界电流密度的影响

THE EFFECT OF INTERLAYER COUPLING ON CRITICAL CURRENT DENSITY IN Bi2212 SYSTEM

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【作者】 冯双久陈春霞李广李晓光

【Author】 FENG SHUANG JIU 1,2 CHEN CHUN XIA 2 LI GUANG 2 LI XIAO GUANG 2 1School of Physics and Material Science, Anhui University, Hefei 230039 2Hefei National Laboratory for Physical Sciences at Microscale, Department of Material Science and Engineering, University of Science and Technology of China, Hefei 230026

【机构】 安徽大学物理与材料科学学院中国科技大学合肥微尺度物质科学国家实验室材料科学与工程系材料科学与工程系 合肥230039中国科技大学合肥微尺度物质科学国家实验室合肥230026合肥230026

【摘要】 通过对具有不同层间耦合强度的Bi2 2 12单晶样品的磁滞回线的测量 ,得到了样品的临界电流密度Jc 随层间耦合强度和磁场的变化关系 .实验结果显示 ,样品的层间耦合减弱 ,Jc明显减小 .同时发现Jc 与磁场间存在Jc ∝exp(-Hα)关系 ,进一步分析表明 ,Jc 的这种磁场依赖关系是对数钉扎势垒模型的必然结果 .

【Abstract】 The dependences of critical current density J\-c on the interlayer coupling strength and magnetic field in Bi2212 crystals were obtained by measuring the magnetic loop of the crystals with different interlayer coupling strength. It is revealed that J\-c decreases with decreasing of the interlayer coupling in the crystals. The relation of J\-c∝ exp (-H\+α) is also found in the crystals, and further analysis indicated that it is the results of Zeldov pinning potential model.

【基金】 国家自然科学基金 (项目编号 :5 0 0 72 0 10 );国家重点基础研究发展规划项目 (项目编号 :NKBRSF G19990 6 4 6 0 3)资助的课题 .~~
  • 【文献出处】 低温物理学报 ,Chinese Journal of Low Temperature Physics , 编辑部邮箱 ,2005年01期
  • 【分类号】O511
  • 【被引频次】3
  • 【下载频次】62
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