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粉体纯化装置及工艺研究

Study on Device and Technology for Particulate Purifying

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【作者】 王敬义尹盛陶甫廷吴京波冯信华苏睿许淑慧陈正强陈文辉罗文广

【Author】 Wang Jingyi1, Yin Sheng1, Tao Futing2, Wu Jingbo3, Feng Xinhua1, Su Rui2, Xu Shuhui2, Chen Zhengjiang2, Chen Wenhui2, Luo Wenguang2, (1. Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430074, China) (2. Guangxi Institute of Technology, Liuzhou 545005, China) (3. Hunan Changsha Wanquan Development Ltd. Co. of Science and Technology, Changsha 410007, China)

【机构】 华中科技大学广西工学院湖南长沙万全科技开发有限公司广西工学院 湖北武汉430074湖北武汉430074广西柳州545006湖南长沙410007广西柳州545006

【摘要】 根据硅粉纯化的要求,提供了一种长落程和高反应速率的冷等离体反应器。工艺参数的选择着重于增大鞘层厚度、提高反应粒子浓度和控制抽气速率,因此,能有效的提高纯化反应的速率、粉料的回收率和粉粒一次沉降的时间。实验结果表明:该设备能将纯度为99%的工业硅纯化为约99.99%的太阳级硅。

【Abstract】 According to the purity requirement for Si powder, a cold plasma reaction chamber with long drop distance and high reaction rate is provided in the paper. In the selection of technology parameter, we put stress on increasing the thickness of sheath, raising the densities of reaction particles, and controlling the speed of pump. The purifying rate, collective ratio, and drop time of Si powder were raised effectively as a consequence of these selections. The experimental results show that solar grade Si (4N) can be gotten from industrial Si (Melatturgical grade Si-2N) in the plasma system.

【基金】 国家自然科学基金资助项目(10265002)
  • 【文献出处】 稀有金属材料与工程 ,Rare Metal Materials and Engineering , 编辑部邮箱 ,2005年10期
  • 【分类号】TN304;
  • 【被引频次】4
  • 【下载频次】74
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