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紫外半导体电致发光器件研究进展

Progress of UV Semiconductor Electroluminescence Devices

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【Author】 CEN Jiwen Guangzhou Institute of Energy Conversion,Chinese Acdemy of Sciences,Guangzhou 510640; Graduate School of Chinese Academy of Sciences,Beijing 100039;HE Mingxing Guangzhou Institute of Energy Conversion,Chinese Acdemy of Sciences,Guangzhou 510640; Panzhihua Iron & Steel Research Institute,Pangang Group,Panzhihua 617000LI Xinjun WANG Liangyan Guangzhou Institute of Energy Conversion,Chinese Acdemy of Sciences,Guangzhou 510640;

【机构】中国科学院广州能源所；中国科学院研究生院北京 100039；攀钢集团攀枝花钢铁研究院；攀枝花 617000；广州 510640；

【摘要】概述了紫外半导体电致发光器件的发展历史、现状、趋势及其应用,详述了国内外近两年对 AlGaN 基半导体电致发光器件的研究进展。更多还原

【Abstract】 In this article,the development and important applications of secomductor EL devices are briefly introduced,and the progress in improving AlGaN-based LED performance in last two years are discussed in detail.更多还原

【关键词】 AlGaN；半导体电致发光；紫外； LED；
【Key words】 AlGaN； semiconductor EL device； UV； light emitting diodes；

【基金】广东省自然科学基金(32708)

【文献出处】材料导报 ,Materials Review , 编辑部邮箱 ,2005年01期

【分类号】TN304
【被引频次】4
【下载频次】264

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