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MOCVD法制备ZnO同质发光二极管

Fabrication of ZnO Light-Emitting Diode by Using MOCVD Method

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【作者】叶志镇；徐伟中；曾昱嘉；江柳；赵炳辉；朱丽萍；吕建国；黄靖云；汪雷；李先杭；

【Author】 Ye Zhizhen, Xu Weizhong, Zeng Yujia,Jiang Liu,Zhao Binghui,Zhu Liping, Lü Jianguo,Huang Jingyun,Wang Lei,and Li Xianhang (State Key Laboratory of Silicon Materials, Zhejiang University, Hangzhou 310027,China)

【机构】浙江大学硅材料国家重点实验室；浙江大学硅材料国家重点实验室杭州310027；杭州310027；杭州310027；

【摘要】在n型ZnO体单晶片上,首次采用N等离子体辅助金属有机化学气相沉积方法外延生长了p型ZnO薄膜,制成了同质ZnO的发光二极管(LED)原型器件;在室温下,观察到同质ZnO的LED施加电压后由电注入激发出紫外至绿光波段的光谱.更多还原

【Abstract】 p-type zinc oxide (ZnO) thin films are grown by plasma-assisted metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD).A ZnO homostructural light-emitting diode is fabricated by growing p-type ZnO epi-layer on n-type bulk ZnO wafer. The room temperature electroluminescence spectrum from violet to green regions is observed while the ZnO-LED is supplied with a DC voltage.更多还原

【关键词】 ZnO； LED； p型掺杂；金属有机化学气相沉积；
【Key words】 ZnO； LED； p-type doping； metalorganic chemical vapor deposition；

【基金】国家重点基础研究专项经费(批准号:G2000068306);国家自然科学基金(批准号:90201038);香港-大陆两地基金资助项目~~

【文献出处】半导体学报 ,Chinese Journal of Semiconductors , 编辑部邮箱 ,2005年11期

【分类号】TN312.8
【被引频次】33
【下载频次】492

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