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硅基CoZrO铁氧体磁膜结构RF集成微电感

A RF Integrated Inductor with CoZrO Ferrite Thin Film

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【Author】 Yang Chen~1,Liu Feng~ 1,2,Ren Tianling~1,Liu Litian~1,Feng Haigang~3, Wang Zihui~3,Long Haibo~4,and Yu Jun~2(1 Institute of Microelectronics,Tsinghua University,Beijing 100084,China) (2 Huazhong University of Science and Technology,Wuhan 430000,China) (3 Department of Electrical and Computer Engineering,Illinois Institute of Technology,Chicago IL60616,USA) (4 Department of Electronic Engineering,Tsinghua University,Beijing 100084,China)

【机构】清华大学微电子学研究所；华中科技大学电子科学与技术系；伊利诺理工学院电气与计算机工程系；清华大学电子工程系；华中科技大学电子科学与技术系北京100084；武汉430000；北京100084；芝加哥IL60616；美国；武汉430000；

【摘要】制作了一种新型磁膜结构射频集成微电感.该电感使用溶胶-凝胶法制备的CoZrO铁氧体作为磁性薄膜;采用平面单匝形式的金属线圈,从而形成“SiO2绝缘层/磁膜层(CoZrO)/SiO2绝缘层/Cu线圈”的结构,具有结构简单、制作工艺与常规集成工艺兼容等特点.同时,采用相同工艺同批制作了无磁膜微电感作为对比样品,并取各项结构参数与磁膜电感相一致.测试结果表明,2GHz处,磁膜结构微电感的感值(L)为1·75nH、品质因数(Q)为18·5,与无磁膜微电感相比,L和Q的值分别提高了25%和23%.更多还原

【Abstract】 A novel RF integrated inductor with ferrite thin-film is fabricated.The inductor has a simple structure of “SiO₂ insulating layer/magnetic thin-film（CoZrO）/SiO₂ insulating layer/Cu coils”,in which a planar single-turn metal coil and a CoZrO ferrite thin-film fabricated by the Sol-Gel method are used.The fabrication process is compatible with standard integrated process.Inductors without the magnetic thin-film are fabricated as the referential sample using the same processes,in which the structure parameters are consistent with the inductor with magnetic thin-film.The inductance（L） of the inductor with magnetic thin-film is 1.75nH and the quality factor（Q） is 18.5 at 2GHz.Compared with the inductor without magnetic thin-film,L and Q are raised by 25% and 23%,respectively.更多还原

【关键词】 CoZrO铁氧体；磁膜结构；射频集成；
【Key words】 CoZrO ferrite； magnetic thin-film； RF integration；

【基金】美国自然科学基金资助项目(批准号:0302449)~~

【文献出处】半导体学报 ,Chinese Journal of Semiconductors , 编辑部邮箱 ,2005年11期

【分类号】TN304.055
【被引频次】5
【下载频次】128

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