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GaAs基长波长量子点激光器增益和阈值电流密度的理论分析(英文)

Theoretical Analysis of Gain and Threshold Current Density for Long Wavelength GaAs-Based Quantum-Dot Lasers’

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【作者】 邓盛凌; 黄永箴; 金潮渊; 于丽娟;

【Author】 Deng Shengling,Huang Yongzhen,Jin Chaoyuan,and Yu Lijuan(State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China)

【机构】 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室; 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室 北京100083; 北京100083; 北京100083;

【摘要】 基于谐振子模型的量子点能级,计算了包括和排除激子影响时多能级的增益谱.考虑了低温时非平衡载流子分布.得出了较宽温度范围内阈值电流密度的变化,包括负温度及振荡温度效应.研究了垂直层叠和p型掺杂对量子点激光器性能的改善,并讨论了获得极小阈值电流密度时的最佳量子点密度.

【Abstract】 Quantum dot gain spectra based on harmonic oscillator model are calculated including and excluding excitons.The effects of non-equilibrium distributions are considered at low temperatures.The variations of threshold current density in a wide temperature range are analyzed and the negative characteristic temperature and oscillatory characteristic temperature appearing in that temperature range are discussed.Also,the improvement of quantum dot lasers’performance is investigated through vertical stacking and p-type doping and the optimal dot density,which corresponds to minimal threshold current density,is calculated.

【基金】 国家高技术研究发展计划(批准号:2003AA311070);国家自然科学基金(批准号:60225011)资助项目~~
  • 【文献出处】 半导体学报 ,Chinese Journal of Semiconductors , 编辑部邮箱 ,2005年10期
  • 【分类号】TN248;
  • 【被引频次】1
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