节点文献

AlxGa1-xAs/GaAs分布布拉格反射镜的湿法氧化(英文)

Wet Oxidation of Alx Ga1-xAs/GaAs Distributed Bragg Reflectors

  • 推荐 CAJ下载
  • PDF下载
  • 不支持迅雷等下载工具,请取消加速工具后下载。

【作者】 李若园王占国徐波金鹏张春玲郭霞陈敏

【Author】 Li Ruoyuan 1,Wang Zhanguo 1,Xu Bo 1,Jin Peng 1,Zhang Chunling 1,Guo Xia 2,and Chen Min 2(1 Key Laboratory of Semiconductor Materials Science,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China)(2 Laboratory of Photoelectronics Technology,Beijing University of Technology,Beijing 100022,China)

【机构】 中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室北京工业大学光电子技术实验室北京工业大学光电子技术实验室 北京100083北京100083北京100022北京100022

【摘要】 对垂直腔面发射激光器(VCSEL)的AlxGa1-xAs/GaAs分布布拉格反射镜(DBR)进行了高温湿法氧化.由于AlxGa1-xAs层的氧化产生了应力而导致Al2O3/GaAs界面处出现了孔洞.这些孔洞反过来又缓解了应力而使氧化层的厚度只收缩了8%而不是理论上的20%.并且,随着氧化时间的延长,湿法氧化反应中的反应物和产物沿着多孔界面在氧化物中的传输越充分,从而使AlGaAs层的氧化进行的越完全,氧化质量就越好.

【Abstract】 The wet oxidation of AlGaAs with high Al content in a distributed Bragg reflectors (DBR) is studied by scanning electron microscopy (SEM) and transmission electron microscopy (TEM).Some voids distribute along the oxide/GaAs interfaces due to the stress induced by the wet oxidation of the AlGaAs layers.These voids decrease the shrinkage of the Al2O3 layers to 8% instead of the theoretical 20% when compared to the unoxidized AlGaAs layers.With the extension of oxidation time,the reactants are more completely transported to the front interface and the products are more completely transported out along the porous interfaces.As a result,the oxide quality is better.

【基金】 国家重点基础研究发展计划(批准号:G2000068303,2002CB311905);国家自然科学基金(批准号:60390071,60276014,90101002,90101004,90201033);国家高技术研究发展计划(批准号:2002AA311070,2002AA311020,2002AA311170)资助项目~~
  • 【文献出处】 半导体学报 ,Chinese Journal of Semiconductors , 编辑部邮箱 ,2005年08期
  • 【分类号】TN248
  • 【被引频次】7
  • 【下载频次】84
节点文献中: 

本文链接的文献网络图示:

本文的引文网络