节点文献

光电耦合器件g-r噪声模型

A Model for a g-r Noise in Optoelectronic Coupled Devices

  • 推荐 CAJ下载
  • PDF下载
  • 不支持迅雷等下载工具,请取消加速工具后下载。

【作者】 包军林; 庄奕琪; 杜磊; 吴勇; 马仲发;

【Author】 Bao Junlin,Zhuang Yiqi,Du Lei,Wu Yong,and Ma Zhongfa(Microelectronic Institute,Xidian University,Xi’an 710071,China)

【机构】 西安电子科技大学微电子研究所; 西安电子科技大学微电子研究所 西安710071; 西安710071; 西安710071;

【摘要】 在宽范围偏置条件下,测量了光电耦合器件的g-r(产生复合)噪声.实验结果表明,随着偏置电流的增加,g-r噪声逐渐向高频移动,其噪声幅值呈现先增加后减小的变化规律.通过测量前级噪声和后级噪声,发现光电耦合器件g-r噪声来源于后级的光敏三极管.基于载流子数涨落机制,建立了一个光电耦合器件g-r噪声的定量分析模型.实验结果和本文模型符合良好.

【Abstract】 g-r noise (generation-recombination noise) in optoelectronic coupled devices(OCDs) is studied in a wide bias range.Experimental results demonstrate that the magnitude of g-r noise becomes large and then shrinks as the input current increases,while its intrinsic frequency gets large.By measuring the front and back noise of OCDs,it is also discussed that the source of g-r noise in OCDs is a photosensitive transistor.Based on the mechanism of carrier number fluctuations,a g-r noise model in OCDs is developed.The experimental results agree well with the developed model.

【关键词】 1/f噪声; g-r噪声; 光电耦合器件; 深能级缺陷;
【Key words】 1/f noise; g-r noise; OCD; deep-level defects;
【基金】 国家自然科学基金(批准号:60276028);国防预研基金(批准号:51411040601DZ014);国防科技重点实验室基金(批准号:51433030103DZ01)资助项目~~
  • 【文献出处】 半导体学报 ,Chinese Journal of Semiconductors , 编辑部邮箱 ,2005年06期
  • 【分类号】TN364
  • 【被引频次】16
  • 【下载频次】229
节点文献中: 

本文链接的文献网络图示:

本文的引文网络