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一种新材料结构的RTD器件的设计及实现(英文)

Design and Realization of Resonant Tunneling Diodes with New Material Structure

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【Author】 Wang Jianlin 1,Wang Liangchen 2,Zeng Yiping 3,Liu Zhongli 1,Yang Fuhua 4,and Bai Yunxia 2(1 Microelectronics R&D Center,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China)(2 Optoelectronic R&D Center,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China)(3 Novel Material Department,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China)(4 State Key Laboratory of Superlattices and Microstructures,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China)

【机构】中国科学院半导体研究所微电子研发中心；中国科学院半导体研究所光电子研发中心；中国科学院半导体研究所新材料部；中国科学院半导体研究所超晶格与微结构国家重点实验室；中国科学院半导体研究所光电子研发中心北京100083；北京100083；北京100083；

【摘要】设计了一种带有Al0 .2 2 Ga0 .78As/In0 .15Ga0 .85As/GaAs发射极空间层和GaAs/In0 .15Ga0 .85As/GaAs量子阱的共振隧穿二极管 (RTD)材料结构 ,并且成功地制作了相应的RTD器件 .在室温下 ,测试了RTD器件的直流特性 ,计算了RTD器件的峰谷电流比和可资电流密度 .在分析器件特性的基础上 ,指出调整材料结构和优化工艺参数将进一步提高RTD器件的性能更多还原

【Abstract】 A new material structure with Al 0.22Ga 0.78As/In 0.15Ga 0.85As/GaAs emitter spacer layer and GaAs/In 0.15- Ga 0.85As/GaAs well for resonant tunneling diodes is designed and the corresponding device is fabricated.RTDs DC characteristics are measured at room temperature. Peak-to-valley current ratio and the available current density for RTDs at room temperature are computed.Analysis on these results suggests that adjusting material structure and optimizing fabrication processes will be an effective means to improve the quality of RTDs.更多还原

【关键词】共振隧穿二极管；量子效应；直流特性；
【Key words】 resonant tunneling diodes； quantum effect； DC characterization；

【基金】国家重点基础研究专项经费 (批准号 :G0 0 1CB3 0 95 );中国科学院资助项目~~

【文献出处】半导体学报 ,Chinese Journal of Semiconductors , 编辑部邮箱 ,2005年01期

【分类号】TN312.2
【被引频次】5
【下载频次】75

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