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GaN材料湿法刻蚀的研究与进展

Research and Progress of Wet Etching for GaN

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【作者】 黄生荣; 陈朝;

【Author】 HUANG Sheng-rong,CHEN Chao(Department of Physics,Xiamen University,Xiamen 361005,China)

【机构】 厦门大学物理系; 厦门大学物理系 福建厦门361005; 福建厦门361005;

【摘要】 回顾了近年来GaN材料湿法刻蚀的研究进展,着重探讨了GaN材料光辅助化学湿法刻蚀的机理、p-GaN材料湿法刻蚀的难点以及湿法刻蚀在GaN材料研究中的应用。

【Abstract】 The progress of wet etching for GaN is reviewed. We have discussed the mechanism of photo-assisted chemical wet etching,the difficulty of p-GaN wet etching and the application of wet etching in the research of GaN.

【关键词】 氮化镓; 湿法刻蚀; 光辅助;
【Key words】 GaN; wet etching; photo-assisted;
【基金】 国家自然科学基金资助项目(60476022)
  • 【文献出处】 微纳电子技术 ,Micronanoelectronic Technology , 编辑部邮箱 ,2005年06期
  • 【分类号】TN304
  • 【被引频次】7
  • 【下载频次】701
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