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InGaAlP外延片的微分析

Microanalysis of InGaAlP Epitaxy Wafer

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【作者】 樊华; 曹永明; 曾伟; 李越生;

【Author】 FAN Hua,CAO Yong-ming,ZENG Wei,LI Yue-sheng(Dept.of Material Science,Fudan University,Nat.Microanalysis Center,Shanghai 200433,China)

【机构】 复旦大学材料科学系国家微分析中心; 复旦大学材料科学系国家微分析中心 上海200433; 上海200433;

【摘要】 介绍了电子显微镜和二次离子质谱仪(SIMS)两种当前主要的微分析工具在四元InGaAlP发光二极管(LED)外延片分析过程中的应用,讨论了它们各自的适用领域,指出两者有机的结合可以得到比较全面的分析结果,为工艺监控和工艺改进提供了参考。

【Abstract】 Applications of electron microscopy and secondary ion mass spectroscopy(SIMS) in analyzing the InGaAlP epitaxy wafer of LED were introduced.The application areas were discussed.A comprehensive result in the epitaxy wafer microanalysis by combining the two methods was obtained,and references to the process monitor and control are given.

【关键词】 电子显微镜; 二次离子质谱; 发光二极管; 外延片;
【Key words】 electron microscopy; SIMS; LED; epitaxy wafer;
  • 【文献出处】 半导体技术 ,Semiconductor Technology , 编辑部邮箱 ,2005年12期
  • 【分类号】TN304
  • 【被引频次】3
  • 【下载频次】87
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