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Ⅲ族氮化物刻蚀技术的研究进展

Research Progress in Etching of Group-Ⅲ Nitride Material

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【Author】 MA Li-na, GUO Xia, SHEN Guang-di(Beijing Optoelectronic Technology Lab.,Beijing University of Technology,Beijing 100022,CHN)

【机构】北京工业大学北京市光电子技术实验室；北京工业大学北京市光电子技术实验室北京100022；北京100022；北京100022；

【摘要】随着Ⅲ族氮化物半导体材料研究的发展,Ⅲ族氮化物的图形刻蚀技术也得到了广泛研究。对Ⅲ族氮化物的各种刻蚀技术进行了详细总结和对比,包括湿法腐蚀、RIE刻蚀I、CP刻蚀等,并对目前Ⅲ族氮化物刻蚀技术的研究热点进行了较为深刻的分析。更多还原

【Abstract】 With the development of group-Ⅲ nitride semiconductor material,the etching technique of the pattern on group-Ⅲ nitride materials has been widely investigated.Various group-III nitride etching techniques are summarized and compared,including wet etching,RIE and ICP,etc.Recent research hot spot on etching group-Ⅲ nitride material are also discussed.更多还原

【关键词】 Ⅲ族氮化物；湿法腐蚀； ICP刻蚀；
【Key words】 group-Ⅲ material； wet etching； ICP；

【基金】国家“973”计划项目(20000683002);北京市科委重点项目(D0404003040221)

【文献出处】半导体光电 ,Semiconductor Optoelectronics , 编辑部邮箱 ,2005年04期

【分类号】TN305.7
【被引频次】3
【下载频次】275

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