节点文献

半绝缘砷化镓(SI-GaAs)单晶中的微缺陷的研究

Research on Microdefects in SI-GaAs Single Crystal via TEM and EDTA

推荐 CAJ下载
PDF下载
不支持迅雷等下载工具，请取消加速工具后下载。

【Author】 Wang Haiyun~1, Zhang Chunling~1, Tang Lei~1, Liu Caichi~1, Shen Yutian~1, Xu Yuesheng~(1*), Qin Daozhi~2 (1. Information Function Institute, Hebei University of Technology, Tianjin 300130, China; 2. The Training Base for Aircraft Equipments of Tianjin, Tianjin 300131, China)

【机构】河北工业大学材料学院信息功能材料研究所；空军天津航空装备技术训练基地天津300130；天津300130；天津300131；

【摘要】砷化镓 (GaAs)为第二代半导体材料 ,GaAs衬底质量直接影响器件性能。利用JEM 2 0 0 2透射电子显微镜 (TEM)及其主要附件X射线能量散射谱仪 (EDXA) ,对半绝缘砷化镓 (SI GaAs)单晶中微缺陷进行了研究。发现SI GaAs单晶中的微缺陷包含有富镓沉淀、富砷沉淀、砷沉淀、GaAs多晶颗粒和小位错回线等。还分析了微缺陷的形成机制。更多还原

【Abstract】 GaAs is one of the second-generation semiconductor materials and the quality of GaAs substrate has a direct influence on devices performance. Microdefects in SI-GaAs single crystal were researched via transmission electron microscope (TEM) and energy dispersion X-ray analysis (EDXA). It is found that microdefects in SI-GaAs have various forms such as As-riched micro-precipitates, As microdefects, Ga-riched microdefects, polycrystal particles and little dislocation loop. In addition, the formation mechanics of microdefects was discussed.更多还原

【关键词】 SI-GaAs；微缺陷；小位错回线；沉淀成核中心；
【Key words】 SI-GaAs； microdefect； little dislocation loop； precipitate nucleating center；

【基金】国家自然科学基金 ( 60 2 760 0 9) ;中国人民解放军总装备部 ( 0 0JS0 2 2 1QT45 0 1) ;河北省自然科学基金 ( 5 990 3 3 )资助项目

【文献出处】稀有金属 ,Chinese Journal of Rare Metals , 编辑部邮箱 ,2004年03期

【分类号】TN304
【被引频次】12
【下载频次】287

知网节下载

节点文献中：

本文链接的文献网络图示:

本文的引文网络

节点文献