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半绝缘砷化镓晶片中碳的微区分布

Distribution of C Acceptor Defect in Semi-Insulation Gallium Arsenide

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【Author】 Xu Yuesheng~(1*), Yang Xinrong~1, Guo Huafeng~2, Tang Lei~1, Liu Caichi~1, Wang Haiyun~1, Wei Xin~1(1. Information Function Institute, Hebei University of Technology, Tianjing 300130, China; (2. Aircraft) Engineering Department, Shenzhen Airport, Shenzhen 518028, China)

【机构】河北工业大学材料学院信息功能材料研究所；深圳机场机务工程部；河北工业大学材料学院信息功能材料研究所天津300130；天津300130；广东深圳518028；天津300130；

【摘要】通过化学腐蚀 (AB腐蚀液 )、金相显微镜观察、透射电镜 (TEM)及能谱分析 (EDX) ,对LEC法生产的半绝缘砷化镓 (SI GaAs)单晶中碳的微区分布进行了分析。其结果表明 :碳的微区分布与晶片中位错密度及分布存在对应关系。高密度位错区位错形成胞状结构 ,该结构的胞壁区碳含量高 ,近胞壁区次之 ,剥光区碳含量低于检测限。更多还原

【Abstract】 Micro-distribution of C acceptor in LEC SI-GaAs wafer was investigated by means of chemical etching, microscope observation, transmission electron microscope (TEM), energy dispersive X-ray detector (EDX). The experimental results show that there is a corresponding relationship between distribution of C impurity and dislocation density in wafer. The C concentration is higher in the cell wall of cellular dislocation than that in the vicinity of the cell wall, and there is no C impurity in the denuded zone.更多还原

【关键词】 SI-Ga As；位错；碳含量；能谱分析；
【Key words】 SI-GaAs； dislocation； carbon impurity； energy dispersive X-ray detector (EDX)；

【基金】国家自然科学基金 ( 60 2 760 0 9) ;中国人民解放军总装备部 ( 0 0JS0 2 .2 .1QT45 0 1) ;河北省自然科学基金 ( 5 990 3 3 )资助项目

【文献出处】稀有金属 ,Chinese Journal of Rare Metals , 编辑部邮箱 ,2004年03期

【分类号】TN304
【下载频次】88

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