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MBE生长AlGa AsSb/InGa AsSb材料的应变控制
Strained AlGaAsSb/InGaAsSb Materials Grown by Molecular Beam Epitaxy
【摘要】 基于理论计算和实验 ,对采用MBE方法生长的不同组份的AlGaAsSb/InGaAsSb材料的应变进行了研究。结果表明 ,通过对材料中的As组份调节 ,可以对材料中的应变进行控制 ,达到良好的应变补偿效果 ,实验结果和理论计算相当吻合。
【Abstract】 The strain effects of MBE grown AlGaAsSb/InGaAsSb materials with different compositions were studied. The results show that by control of the As composition in the materials, the strain can be controlled and good strain compensation can be reached, this is coincident with theoretical calculation.
【基金】 国家“8 63”计划项目 ( 2 0 0 2AA3 13 0 40) ;国家“973”计划项目 (C2 0 0 0 0 683 );国家自然科学基金重点项目 ( 60 13 60 10 )资助
- 【文献出处】 稀有金属 ,Chinese Journal of Rare Metals , 编辑部邮箱 ,2004年03期
- 【分类号】TN248
- 【被引频次】6
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