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GaInP/GaAs HBT高频噪声特性分析

Analysis of GaInP/GaAs HBT’s High Frequency Noise Characteristic

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【Author】 Cheng Zhiqun~(1*), Che Yanfeng~1, Liu Haiwen~2, Sun Xiaowei~1 (1. Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy Sciences, Shanghai 200050, China; 2. Department of Electronic Engieering, Shanghai Jiaotong University, Shanghai 200030, China)

【机构】中国科学院上海微系统与信息技术研究所；上海交通大学电子工程系；中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050；上海200050；上海200030；上海200050；

【摘要】通过器件Z参数分析噪声等效电路及计算最小噪声系数 ,利用HPADS软件仿真了等效电路元件对最小噪声系数的影响 ,从而得出了根据器件几何、物理参数来改进器件高频噪声性能的有效途径。更多还原

【Abstract】 The minimum noise figure was calculated by using Z parameters analysis. The influence of the equivalent circuit elements on the minimum noise figure was simulated by using HP ADS software. The available method was proposed to improve device high frequency noise performance by changing device′s geometry and physics parameters.更多还原

【关键词】异质结双极性晶体管；最小噪声系数；噪声等效电路；
【Key words】 heterojunction bipolar transistor； minimum noise figure； noise equivalent circuit；

【基金】上海市“AM”基金项目 ( 0 10 9)

【文献出处】稀有金属 ,Chinese Journal of Rare Metals , 编辑部邮箱 ,2004年03期

【分类号】TN322
【被引频次】1
【下载频次】88

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