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退火处理对CdIn_2O_4薄膜光电特性的影响及温差电动势的研究  
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【英文篇名】 Annealing effect on photoelectric property of CdIn_2O_4 thin film and its thermoelectromotive force
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【作者】 杨丰帆; 王万录; 廖克俊; 付光宗; 张瑞俭; 曹春兰;
【英文作者】 YANG Feng-fan; WANG Wan-lu; LIAO Ke-jun; FU Guang-zong; ZHANG Rui-jian; CAO Chun-lan (Department of Applied Physics Chong Qing University; Chongqing 400044; China);
【作者单位】 重庆大学应用物理系; 重庆大学应用物理系 重庆　400044; 重庆　400044;
【文献出处】 真空 , Vacuum, 编辑部邮箱 2004年 03期  
期刊荣誉：ASPT来源刊  CJFD收录刊
【中文关键词】 CIO膜; 光电特性; 退火处理; 温差电动势;
【英文关键词】 CIO thin films; photoelectric property; annealing process; thermoelectromotive force;
【摘要】 研究了直流磁控反应溅射制备三元化合物CdIn2O4薄膜(简称CIO膜)的光电性质和温差电动势,及其反应气体中氧浓度和退火处理对CIO膜性质的影响。结果表明CIO膜在可见光区有良好的导电性和透光性,退火处理明显提高了膜的透光率和载流子浓度,这一影响对CIO的广泛应用具有重要的意义。
【英文摘要】 The photoelectric property and thermoelectromotive force of CdIn_2O_4 or CIO thin film deposited by way of DC reactive magnetron sputtering process were investigated, as well as the effects of the O_2 concentration in reacting gas and annealing process on the property of CIO films. The results showed that CIO thin films have favorable conductivity and transmittance within visible spectrum, and the annealing process can improve obviously the transmittance and carrier concentration of the thin films. This is ...
【更新日期】 2005-08-19
【分类号】 TN304.05
【正文快照】 　　CIO膜是一种n型宽带隙高简并化的半导体薄膜材料,它具有许多优异的光学和电学性质,如它具有极低的电阻率,同时在可见光范围的透光率高达91.7%,稳定的化学性能以及耐磨性使其具有广泛的应用前景,可作为透明电极、航天器透明玻璃窗、光学器件、保温薄膜材料等[1～5],引起了人

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