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半导体断路开关(SOS)特性研究

The Fabrication and Characteristics of Semiconductor Opening Switch (SOS)

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【作者】 屠荆； 罗晋生； 杨荣； 韩志宇； 白树春；

【Author】 TU Jing1, LUO Jin-sheng1, YANG Rong1, HAN Zhi-yu2, BAI Shu-chun2(1 Xi’an Jiaotong University, Xi’an 710049 China) (2 TianQi Electronic Ltd, Fuxin 123000 China)

【机构】 西安交通大学微电子研究所； 阜新天琪电子公司； 阜新天琪电子公司 陕西西安710049； 陕西西安710049； 辽宁阜新123000； 辽宁阜新123000；

【摘要】 本文描述了半导体断路开关(SOS)的制作及性能测试。制作方法采用普通二极管类似的扩散工艺,但其制作工艺的关键在于深结的扩散。在pn结足够深时才能产生SOS效应。描述了制作过程并采用脉冲电路测试了所研制的SOS器件的电学性能。测试结果表明所研制的样品性能达到了与国外水平。

【Abstract】 The fabrication process and characteristics of the Semiconductor Opening Switch (SOS) are reported in this paper. The key process of the fabrication is diffusion. The testing results of SOS show that the SOS device has good electrical characteristic.

【关键词】 半导体； 断路开关； 制作； 测试；
【Key words】 Semiconductor； Opening-switch； Fabrication； Testing；
  • 【文献出处】 微电子学与计算机 ,Microelectronics & Computer , 编辑部邮箱 ,2004年12期
  • 【分类号】TN31
  • 【被引频次】4
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