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Fe/Si多层膜的层间耦合与界面扩散

The antiferromagnetic coupling and interface diffusion in Fe/Si multilayers

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【作者】 倪经蔡建旺赵见高颜世申梅良模朱世富

【Author】 Ni Jing 1)3) Cai Jian_Wang 1) Zhao Jian_Gao 1) Yan Shi_Shen 2) Mei Liang_Mo 2) Zhu Shi_Fu 3) 1)(State Key Laboratory of Magnetism, Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100080,China) 2)(School of Physics and Microelectronics, Shandong University, Jinan 250100, China) 3)(Department of Materials Science and Engineering, Sichuan University, Chengdu 610064, China)

【机构】 中国科学院物理研究所磁学国家重点实验室山东大学物理与微电子学院四川大学材料科学与工程系 北京100080四川大学材料科学与工程系成都610064北京100080济南250100成都610064

【摘要】 对以本征Si及重掺杂p型和n型Si作为中间层的Fe Si多层膜的层间耦合进行研究 ,并通过退火 ,增大Fe ,Si之间的扩散 ,分析界面扩散对层间耦合的影响 .实验结果表明 ,层状结构良好的制备态的多层膜 ,Fe ,Si之间也存在一定程度的扩散 ,它是影响层间耦合的主要因素 ,远远超过了半导体意义上的重掺杂 ,使不同种类的Si作为中间层的层间耦合基本一致 .进一步还发现 ,在一定范围内增大Fe ,Si之间的扩散 ,即使多层膜的层状结构已经有了相当的退化 ,Fe Si多层膜的反铁磁耦合强度基本保持不变 .

【Abstract】 The antiferromagnetic coupling in Fe/Si multilayers was investigated with spacers varying from pure Si to heavy_doped n_type and p_type Si. It was found that interlayer diffusion between Fe and Si occurred even though the multilayers showed well_defined layer structure, and the diffusion dominated the heavy_doped Si, which made no difference at all for the antiferromagnetic coupling with different type of Si. Furthermore, the antiferromagnetic coupling in Fe/Si multilayers still goes on while the diffusion between Fe and Si layers enhanced and the layer structure was degraded to some extent after annealing.

【基金】 国家重点基础研究专项基金资助的课题~~
  • 【文献出处】 物理学报 ,Acta Physica Sinica , 编辑部邮箱 ,2004年11期
  • 【分类号】O484.1
  • 【被引频次】8
  • 【下载频次】254
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