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Si对反应烧结SiC热电性能的影响

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【作者】 石尧文； 乔冠军； 高积强； 金志浩；

【机构】 西安交通大学金属材料强度国家重点实验室； 西安交通大学金属材料强度国家重点实验室 西安 710049； 西安 710049； 西安 710049；

【摘要】 SiC是一种具有良好应用前景的高温热电半导体材料,近年来一直得到广泛的关注和研究。本文对反应烧结SiC的热电性能进行了初步研究,发现该材料中的Si对其热电性能有显著的影响。经研究发现,这一影响只有在一定温度和一定残留Si的情况下才能表现出来。

【关键词】 热释电； 反应烧结； 碳化硅；
  • 【文献出处】 陶瓷科学与艺术 ,Ceramics Engineering , 编辑部邮箱 ,2004年01期
  • 【分类号】TQ174
  • 【被引频次】1
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