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多孔碳化硅的制备与应用研究进展

Study on the High Specific Area Silicon Carbide Used as Catalyst Supports

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【作者】 刘水刚高伟

【Author】 Liu Shuigang Gao Wei(University of Petroleum,Beijing,102249)

【机构】 石油大学机电工程学院石油大学机电工程学院 北京102249北京102249

【摘要】 碳化硅陶瓷材料由于具有耐磨、耐腐蚀、高温强度高、高热导、宽禁带等优良特性 ,被广泛应用于航空航天、石油化工、机械电子等领域。同时 ,碳化硅如果能攻克其低比表面的缺陷 ,还将是一种催化剂载体的理想候选材料 ,可应用于一些高温、强腐蚀等苛刻的条件中。而目前国内在这方面的研究尚未见公开的报道。笔者将对近年来高比表面碳化硅材料的研究工作进行小结 ,阐述其制备原理、方法及应用。同时介绍了本研究小组下一步的研究方向

【Abstract】 Silicon carbide is a very ideal candidate for the catalyst support taking account of its high resistance to thermal shock, high thermal conductivity and chemical inertness.It also shows several advantages when compared to the oxidic catalyst supports.But the specific area of the SiC available is too low to be applicable in a chemical reaction and there is rare domestic study on the preparation of high specific area SiC.We will review the latest development in this field and look ahead of the research.

  • 【分类号】TQ174.7
  • 【被引频次】8
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