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表面声波在一维电子通道中诱导产生的声电电流
Quantized Current in One-dimensional Channel Induced by Surface Acoustic Waves
【摘要】 表面声波(SAW)在GaAs/AlxGa1-xAs异质结表面上沿由分裂门产生的准一维电子通道方向传播时,在通道中可诱导产生声电电流.根据准经典(WKB)近似,计算出一维电子通道钳断情况下的量子化声电电流,并详细讨论了源漏偏压和库仑相互作用对声电电流的影响.
【Abstract】 An acoustoelectric current is induced by a surface acoustic wave (SAW) launched along the quasi-one-dimensional electron channel defined in a GaAs/AlxGa1-xAs heterostructure by split gates. Using the WKB approximation, the authors calculated an acoutoelectric current in a pinched-off quasi-one-dimensional channel. The authors discussed the effect on acoustoeletric current caused by Coulomb interaction between electrons and source-drain bias.
【关键词】 表面声波；
准一维电子通道；
量子阱；
声电电流；
【Key words】 surface acoustic wave； quasi-one-dimensional electron channel； quantum well； acoustoelectric current；
【Key words】 surface acoustic wave； quasi-one-dimensional electron channel； quantum well； acoustoelectric current；
【基金】 科技部重大基础研究前期研究专项基金(2002CCA02600)
- 【文献出处】 四川大学学报(自然科学版) ,Journal of Sichuan University (Natural Science Edition) , 编辑部邮箱 ,2004年03期
- 【分类号】O422;O424
- 【被引频次】1
- 【下载频次】39