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VDMOSFET的最佳化设计研究(500V)

The Research on the Optimal Scaled Design of VDMOSFET (500V)

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【作者】 张雯； 阎冬梅；

【Author】 ZHANG Wen, YAN Dong-mei(1. Law School, Liaoning University , Shenyang 110036, China; 2. Institute of Information Science and Technology, Liaoning University, Shenyang 110036, China)

【机构】 辽宁大学法学院； 辽宁大学信息学院 辽宁 沈阳 110036； 辽宁 沈阳 110036；

【摘要】 以正方形单胞为例,较系统地分析了VDMOSFET的特征导通电阻与结构参数之间的关系.重点讨论了N沟道VDMOSFET的P-体扩散区结深Xjp-和栅氧化物厚度Tox对器件特征导通电阻RonA的影响.首次给出了多晶硅窗口区尺寸Pw和多晶区尺寸PT的最佳化设计比例Pw/PT与xjp-和Tox的关系.最后阐述了器件的最佳化设计思想.

【Abstract】 The relation between specific on-resistance and structure parameters of VDMOSFET is analyzed systematically on the basis of a square cell. And the influence of junction depth p- diffusion area Xjp-and thickness of gate SiP2 Tox on specific on-resistance of N-channel VDMOSFET is centered on. The relation between the optimally scaled design (PW/PT)of the size of poly-window PW,the size of poly-length PT and Xjp-, Tox is presented for the first time. At last the best design idea of the device is stated.

【关键词】 VDMOSFET； 特征导通电阻； 设计；
【Key words】 VDMOSFET； specific on resistance； design.；
  • 【文献出处】 辽宁大学学报(自然科学版) ,