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新型半导体n+p结构气敏元件研究

Studies on a New Type Semiconductor n + p Structure Gas Sensor

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【Author】 YANG Liu-fang, ZOU Hui, ZHAO He-yun, WANG Yu-de, Wu Xing-hui( Department of Physics, YuXi Normal College, YuXi 653100, China; Faculty of Materials and Metallurgical Engineering, Kunming University of Science and Technology, Kunming 650093, China; Department of Teaching and Research, Yunnan Northern Electricity Workers University, Kunming 650033, China; Saba Transduction Technology Research Center of Yunnan University, Kunming 650091, China)

【机构】玉溪师范学院物理系,云南南方电力职工大学,云南大学佐波传感技术研究中心,云南大学佐波传感技术研究中心,云南大学佐波传感技术研究中心云南玉溪 65003l；昆明理工大学材料与冶金工程学院,云南昆明 650093,教研部,云南昆明 650033,云南昆明 650091,云南昆明 650091,云南昆明 650091；

【摘要】讨论了基于气敏元件互补反馈和互补增强原理的新型半导体n+p结构气敏元件.理论分析表明,该新型气敏元件具有高的选择性,同时还具有好的热稳定性和高的灵敏度.通过实验,获得了性能较好的n+p结构酒敏元件.更多还原

【Abstract】 A new type semiconductor n + p structure gas sensor is put forth, which adopts the compensation -feedback and compensation - multiplication principle and sensor` s structure of achieving principle. The results investigated from theortical viewpoint show that the n + p combined structure gas sensor has high selectivity, better thermostability and high sensitivity. The perfect n + p combined structure alcohol gas sensor is fabricated and tested.更多还原

【关键词】选择性；灵敏度；热稳定性；半导体元件；气敏元件；
【Key words】 selectivity； sensitivity； thermostability； semiconductor devices； gas sensitive devices；

【文献出处】昆明理工大学学报(理工版) ,Journal of Kunming University of Science and Technology , 编辑部邮箱 ,2004年01期

【分类号】TN379
【被引频次】2
【下载频次】113

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