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磁场直拉硅单晶生长
【摘要】 研究了磁场直拉硅单晶生长.采用钕铁硼(NdFeB)永磁磁体,向硅熔体所在空间引入Cusp磁场.当坩埚边缘磁感应强度达到0.15T时,熔硅中杂质输运受扩散控制.熔硅自由表面观察到明显的Marangoni对流;硅单晶纵向、径向电阻率均匀性得到改善;控制Marangoni对流,可灵活控制硅单晶中的氧浓度.把磁场拉晶同硅单晶的等效微重力生长联系起来,推导出了引入磁感应强度和对应等效微重力等级的关系式g=v0/veff·g0,并针对坩埚的两种特征尺寸,进行了直拉硅单晶等效微重力等级的计算.
【关键词】 等效微重力；
扩散控制；
Marangoni对流；
【基金】 国家自然科学基金(批准号:59972007);国家科技部攀登计划(批准号:504[2000]);河北省自然科学基金(批准号:599033)资助项目
- 【文献出处】 中国科学E辑:工程科学 材料科学 ,Science in China,Ser.E , 编辑部邮箱 ,2004年05期
- 【分类号】O782
- 【被引频次】32
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