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缓冲层生长压力对MOCVD GaN性能的影响

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【作者】 陈俊； 张书明； 张宝顺； 朱建军； 冯淦； 段俐宏； 王玉田； 杨辉； 郑文琛；

【机构】 四川大学材料科学系； 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室； 四川大学材料科学系 成都610064 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室； 北京100083； 成都610064；

【摘要】 利用自制的在位监测系统,研究了用金属有机物化学气相外延法(MOCVD)在蓝宝石衬底上生长GaN时,GaN低温缓冲层的生长压力对高温生长GaN外延层性能的影响规律.在位监测曲线及扫描电子显微镜(SEM)分析结果表明,缓冲层生长压力越大,GaN缓冲层退火后成核中心体积越小,表面粗糙度越大,高温生长GaN岛间合并延迟.X射线衍射(XRD)和光致发光谱(PL)测量结果表明,GaN缓冲层生长压力增大时外延的GaN结晶质量得到改善.

【关键词】 GaN； MOCVD； 在位监测；
【基金】 国家自然科学基金(批准号:69825107);国家杰出青年基金(批准号:5001161953);NSFC-RGC联合基金(批准号:5001161953,N-HKU028/00)资助项目
  • 【文献出处】 中国科学E辑:技术科学 ,Science in China,Ser.E , 编辑部邮箱 ,2004年01期
  • 【分类号】TN304
  • 【被引频次】4
  • 【下载频次】277
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